Mit solchen Modellen lassen sich dann die Auswirkungen der statistischen Technologieparameterschwank... und parasitärer Effekte auf das Schaltungsverhalten bestimmen.
Darüber hinaus werden die Abweichungen zwischen den Masken und den durch sie erzeugten Strukturen auf der Halbleiterscheibe immer wichtiger.
Hier leisten insbesondere die Lithographiesimulationsprog... des IISB entscheidende Beiträge zur Vorhersage dieser Effekte und zur Optimierung von Masken und Prozessen.
www.mikroelektronik.fraunhofer.deSuch models can be used to determine the effects of statistical technological parameter fluctuations and parasitic effects on circuit behavior.
Besides this the deviations between the mask and the structures they create on the wafer get ever more important.
Especially the lithography simulation programs developed at IISB strongly contribute to the prediction of these effects and to the optimization of masks and processes.
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