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Sili̱zium <‑s, мн. отсут. > [zi​ˈliːtsi̯ʊm] СУЩ. ср. ХИМ.

Silizium
krzem м.

Sili̱zium-Chip <‑s, ‑s> СУЩ. м. ИНФОРМ.

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Der Bereich Bauelemente entwickelt kundenspezifische aktive und passive elektronische Bauelemente auf Basis von Silizium und Siliziumkarbid für Anwendungen in der Leistungselektronik, Mikroelektronik und Sensorik.
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Auch die enzymatische Bildung von Kohlenstoff-Silizium-Bindungen wurde von ihrer Arbeitsgruppe beschrieben.
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Durch Beruhigen mit Aluminium oder Silizium wir der in der Schmelze vorhandene Sauerstoff gebunden.
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Auf Grund der sehr glatten und ebenen Oberflächen von Silizium und Glas besteht nur ein sehr kleiner Abstand zwischen beiden.
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Hierbei ist k die Boltzmannkonstante, q die Elementarladung und die Bandabstandsspannung von Silizium.
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Der Hauptanwendungsbereich ist die Simulation der Gitterdynamik von Silizium sowie siliziumähnlichen Elementen und deren Legierungen untereinander.
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Denn α n und α p sind bei Silizium sehr unterschiedlich.
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Diese sind zwar üblicherweise durch Wasserstoffatome gesättigt, jedoch besitzen auch im Bereich des sichtbaren Lichts einige Photonen eine ausreichende Energie, um diese Silizium-Wasserstoff-Bindungen aufzubrechen.
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Dort forschte er unter anderem an der Verwendung von Siliziumdioxid als Schutzschicht von Silizium-Halbleiterbauelementen.
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Mit einer Freilaufdiode wird die Spannungsspitze jedoch auf die Durchlassspannung der Diode (bei Silizium etwa 0,7 V) begrenzt.
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